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摘要:随着现代半导体制造工艺的发展,CMOS的沟道长度和器件间距不断减小,随之出现了严重的工艺变化和信号耦合效应。在本文中,我们将解释耦合效应是如何影响灵敏放大器的功能,然后我们将介绍一种耦合抑制放大器。在我们的设计中,我们调整了时间控制。耦合信号被分类并被不同的启动电流抑制。新的架构在差分输入下可以实现显著的改善。面积和速度成本可以忽略。通过我们的工作,我们推荐我们的灵敏放大器的设计,也请注意其他电路的耦合效应。 关键词:灵敏放大器;SRAM
目录 摘要 Abstract 第一章绪论-3 1.1 研究背景及意义-3 1.2研究内容-6 1.3 本章小结-7 第二章 传统灵敏放大器及耦合效应-8 2.1 传统灵敏放大器介绍-8 2.2灵敏放大器的耦合分析-9 2.3本章小结-11 第三章 灵敏放大器中的耦合抑制-12 3.1 耦合抑制灵敏放大器-12 3.2新、旧设计的对比-12 3.3 本章小结-14 第四章 电路的搭建与仿真-15 4.1 反相器参数设置-15 4.2传统灵敏放大器仿真-16 4.3耦合抑制灵敏放大器仿真-20 4.4 本章小结-24 第五章 总结-25 参考文献-26 致谢-27 |