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上一篇:氧传感器的性能测试系统.doc
摘要:本论文首先介绍了STT-MTJ的发展前景和一些STT-MTJ的特性,然后分析STT-MTJ的宏模型,并且对每一个子电路宏模型的电路进行HSPICE的程序编写,对各个部分的程序编写完成后进行参数的设定,并且建立宏模型进行仿真的分析。从而验证了STT-MTJ所有主要的瞬态特性,包括滞后、依赖于电阻的电压偏置效应、临界开关电流与临界开关时间。仿真分析表明该模型可兼容于CMOS技术。 关键词:磁随机存取存储器、HSPICE、宏模型、磁隧道结
目录 中文摘要 Abstract 第一章 绪论-5 1.1 研究背景及意义-5 1.2 STT-MTJ研究及其现状-6 1.3 STT-MTJ简介-7 1.4 MTJ器件性能-8 1.4.1 滞后-8 1.4.2 电压偏置与电阻-8 1.4.3 临界开关电流与临界开关时间-8 1.5 本章小结-9 第二章 STT-MTJ宏模型组成-10 2.1 电极连接-11 2.2 判决电路-11 2.3 双稳态电路-14 2.4 曲线拟合电路-15 2.5 本章小结-15 第三章 器件模拟仿真-16 3.1 器件参数-16 3.2 宏模型仿真参数的设定-17 3.2.1 阻抗切换部分-17 3.2.2 直流瞬态部分-17 3.3 MTJ模型阻抗切换仿真-19 3.4 MTJ模型直流瞬态仿真-20 3.5 宏模型切换时间与以前试验的比较-21 3.6 本章小结-21 第四章 总结-22 参考文献-23 致 谢-25 |