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摘要: 在此毕业设计中制作了金属-绝缘体-半导体(MIS)结构Al/MoO3/p-InP,并确认了金属-绝缘体-半导体(MIS)结构能够增强肖特基势垒高度(SBH)。还测试了该MIS结构在温度范围为310K到390K的I-V特性曲线。计算得到有效理查森常数=60.38826Acm−2K−2,接近其理论值60Acm−2K−2。当温度T升高时零偏压肖特基势垒高度升高,而平带势垒高度和理想因子n则降低,符合势垒高度高斯分布模型。通过画出零偏压势垒高度和理想因子n的关系求出肖特基势垒高度的均匀值为1.57859V。为了研究肖特基势垒不均,算出了零偏压均值势垒高度=1.27171V和零偏压标准差=159.69mV,得到了对应于肖特基势垒高度的电压变形分布的偏压系数为-0.43271V和为-0.00844V。另外平带势垒随着温度T的降低而缓慢升高,温度系数的值=6.14356*10-4。并且还算出了空穴隧穿系数=11.94977。
关键词:肖特基势垒高度,高斯分布,MIS结构,界面绝缘层
目录 中文摘要 Abstract 第一章 序 言-3 1.1. 课题研究背景及其意义-3 1.2. 毕业设计工作内容-4 第二章 MIS结构的制作-6 第三章 数据处理及讨论-8 3.1. I-V特性及其理论公式-8 3.2. 零偏压势垒高度和理想因子-9 3.3. 关于势垒分布的不均匀的参数分析-12 3.4. 平带肖特基势垒高度-14 第四章 总结-17 参考文献-18 致谢-20 |