摘要：本论文通过在无光照条件下，对单晶硅、多晶硅和非晶硅三种太阳能电池在-3V、-2V、-1V、0V、0.3V、0.6V、0.9V、1.2V、1.5V、1.8V、2.1V、2.4V、2.7V、3.0V电压值范围内，测量其暗伏安特性得出三种电池的电流随着电压的变化情况是单晶硅和多晶硅电流值在-3V到-2V上升趋势明显，在-2V到2.1V上升趋势都较为平缓，在2.1V到3.0V的时候上升趋势又很明显；非晶硅在-3V到-2V和2.7V到3.0V时上升趋势比较明显，-2V到2.7V上升趋势一直趋于平缓。在距离实验灯光10cm、15cm、20cm、25cm、30cm、35cm、40cm、45cm、50cm范围内测量三种硅晶电池的光强、开路电压和短路电流得出光强、开路电压和短路电流都是逐渐变小，其中非晶硅的开路电压在相同光强下比单晶硅和多晶硅都略高0.23V左右。当分别测量在导轨上20cm、35cm、50cm处且电压值在0V、0.2V、0.4V、0.6V、0.8V、1.0V、1.2V、1.4V、1.6V、1.8V、2.0V、2.2V、2.4V范围内不同光照强度和不同波长下对三种太阳能电池的输出特性得出：（a）随着输出电压值的增加，输出电流值逐渐减小，当电压值达到一定值的时候会出现拐点下降明显，20cm时拐点出现在2.0V左右，35cm时拐点出现在1.8V左右，50cm时拐点出现在1.6V左右，在同等输出电压值的情况下，非晶硅的输出电流值比单晶硅和多晶硅都要低；（b）三种硅晶电池的输出功率都是在随着电压的增大呈现逐渐上升的趋势，当电压值达到一定值的时候会出现拐点下降，在20cm时拐点出现在2.2V左右，35cm时拐点出现在2.0V左右，50cm时拐点出现在1.8V左右，且在同等输出电压值的情况下，非晶硅的输出功率值比单晶硅和多晶硅都要低。

关键词：暗伏安特性；开路电压；短路电流；输出功率

目录

摘要

Abstract

1绪论-1

1.1研究背景-1

1.2 太阳能电池的发展现状和发展前景-1

1.2.1太阳能电池的发展现状-1

1.2.1.1 国外发展现状-1

1.2.1.2 国内发展状况-2

1.2.2太阳能电池的发展前景-2

2硅材料太阳能电池简介-3

2.1太阳能电池原理-3

2.2符号说明-3

3太阳能电池的光电特性实验研究-4

3.1实验仪器介绍-4

3.2实验流程-5

3.2.1太阳能电池的暗伏安特性测量-5

3.2.2太阳能电池开路电压、短路电流和光强的关系测量-7

3.2.3太阳能电池在不同光强下的输出特性测量-9

3.2.4太阳能电池在不同波长下的输出特性测量-16

3.2.5填充因子与转换效率的计算-32

3.2.6太阳能电池的研究特性小结-35

3.2.7实验中的误差及处理办法-35

结论-36

参考文献-38

致谢-39