摘要：离子溅射过程中的反射主要是由于入射粒子在能量作用下，轰击靶材料表面之后，会有一部分的离子入射到靶材料内部，而另一部分离子会反射出去，如此反复，最终未能入射的那部分离子所占的比例就是反射率。反射率受到多种条件的影响，针对离子溅射过程中反射率特性的研究，我们要选取不同入射离子、靶材料以及不同的入射角度和能量，通过SRIM软件进行模拟，并结合磁约束核聚变和半导体应用的研究背景进行分析。在核聚变反应中，第一壁材料为钨，而反应过程中，由于氢离子和氦离子产生的氢气泡和氦气泡会危害材料的使用寿命，所以本次实验选取的入射离子为氢、氦离子，靶材料之一为钨；又因为硅作为优异的半导体材料，发展迅猛，为了进一步研究硅的物理性质，我们选取硅作为第二张靶材料。经模拟和对数据的分析，相比于入射角度，能量对反射率的影响更大，反射率随能量的增大而大幅度降低，随入射角度的减小而降低。

关键词：反射率；半导体；离子溅射

目录

摘要

Abstract

1 绪论-1

1.1 离子溅射介绍-1

1.1.1离子溅射研究背景及应用-2

1.1.2 溅射基本原理-3

2 实验方法及原理-5

2.1 蒙特·卡罗方法-5

2.1.1蒙特·卡罗方法概述-5

2.1.2 基本原理-5

2.1.3 蒙特·卡罗方法优点-5

2.2 SRIM软件-6

2.3 1stOpt软件-7

2.4 Origin软件-8

3 离子溅射过程的反射率特性研究-9

3.1 研究内容-9

3.2 模拟过程-10

3.3 模拟结果与分析-14

结    论-18

参 考 文 献-19

致    谢-20