摘要:Trench MOS是电力电子技术发展起来的新一代功率半导体器件，因其具有高耐压、大电流、低导通电阻、开关速度快等方面的优势，有着广阔的应用市场。本文首先介绍了Trench MOS的发展、应用以及前景，分析了Trench MOS工作原理及结构，研究了Trench MOS的电学特性。然后利用TSUPREM4 & MEDICI仿真工具设计了150V Trench MOS器件，分析了不同外延层浓度对Trench MOS击穿电压的影响。最后设计了终端结构，利用场限环技术，达到了抗150V击穿电压的目的。

关键词：转移特性；击穿特性；电学特性

目录

摘要

ABSTRACT

第一章  绪论-1

1.1研究背景-1

1.2研究现状 -1

1.3主要工作内容-3

第二章  Trench MOS结构与工作原理-4

2.1 Trench MOS的基本结构-4

2.2 Trench MOS的工作原理-5

2.3 Trench MOS的工艺流程-7

2.4 仿真软件TSUPREM-4和MEDICI的介绍-8

第三章  Trench MOS器件设计和仿真分析-9

3.1设计方案-9

3.2器件仿真-9

3.3器件仿真结果分析-10

第四章 终端结构的分析-15

结束语-17

致  谢-18

参考文献-19

附录A-20

附录B-23

附录C-25