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摘要:VDMOS不但拥有非常快的开关时间和接近无限大的输入阻抗,而且它的制作工艺简单、性能可靠又稳定,因而在电力电子领域内发挥了重要的作用,并且成为现如今应用范围比较广泛的功率半导体器件之一。本文首先介绍了国内外VDMOS的发展现状和趋势,确定了课题的研究内容,然后分析了VDMOS器件的结构和原理,研究了VDMOS的元胞,阐述了VDMOS的几个重要的电学参数。最后,利用Tsuprem4工艺仿真软件和Medici电学特性仿真软件仿真了器件的元胞结构、击穿电压和转移特性,得到的仿真结果与理论分析的一致。 关键词:击穿电压;电学特性;Medici软件;结构原理
目录 摘要 ABSTRACT 第一章 绪论-1 1.1课题的研究背景-1 1.2国内外发展现状与趋势-2 1.3研究目的及意义-3 1.4课题的研究内容-3 第二章 VDMOS的工作原理和结构-4 2.1VDMOS的结构-4 2.2VDMOS工作原理-4 2.3VDMOS的特点-5 第三章 VDMOS元胞结构和电学特性参数-7 3.1元胞结构-7 3.2VDMOS的工艺流程-7 3.3电学参数设计-8 3.3.1阈值电压-8 3.3.2导通电阻-9 3.3.3漏源击穿电压-10 第三章 电学特性仿真-12 4.1仿真软件的介绍-12 4.2器件仿真步骤的介绍-12 4.3VDMOS电学特性仿真结果和分析-13 结束语-15 致 谢-16 参考文献-17 附录A-18 |