摘要：自从2004年单层石墨烯被成功制备后，各种各样的新型二维材料被接连发现。二维材料具有非常独特的结构和特性，例如：大的表面积体积比，层间的范德瓦尔斯作用力，电子的活动受限于平面内等等。它们的发现、制备及其应用的飞速发展为新型材料的研究开辟了新道路，二维材料成为许多学者钻研的焦点。奥地利维也纳科技大学的研究人员们首次开发出由薄层二硒化钨制做的二极管，薄层二硒化钨能以超薄层叠的形式进行排列，并且具备优良的电子特性。由于二硒化钨具有双极性，所以可以通过改变其厚度以获得p型、双极型和n型特性，本文研究分析了二硒化钨（WSe2）与功函数不同的两种金属钯和铬的接触，WSe2与金属铬接触时表现为肖特基接触，与金属钯接触时表现为欧姆接触，据此可以选择具备适当的金属功函数的材料与WSe2接触。

关键词：二维材料；二硒化钨；金属半导体接触；场效应晶体管

目  录

摘  要

ABSTRACT

第一章 绪论 1

1.1 研究的意义与背景1

1.2 二硒化钨的结构和特点. 3

 1.3 发展现状4

1.4 本文的主要内容. 4

第二章 低维材料光电器件的加工工艺6

2.1 紫外光刻. 6

2.2 电子束曝光. 7

第三章 机械剥离法制备二硒化钨9

3.1 实验步骤9

3.2 剥离9

3.3 测试与分析10

第四章 二维材料与金属电极接触12

4.1 金属半导体接触简介12

  4.1.1 欧姆接触12

  4.1.2 肖特基接触12

4.2 二维材料与金属接触12

4.3 功函数13

4.4 本章小结15

第五章 二硒化钨与金属接触特性16

5.1 研究背景16

5.2 器件制备流程19

5.3 结果与讨论19

  5.3.1 器件的基本表征19

  5.3.2 器件电学测试及其能带分析20

5.4 本章小结.23

第六章 总结与展望24

6.1 总结.24

6.2 展望.24

致谢26

参考文献27