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摘要:发光二极管(LED,Light Emitting Diode)具有许多优秀的性能,在照明,显示等领域有十分广阔的市场。随着技术的发展,以及工艺的成熟,对于目前的GaN基LED而言,内量子效率达到80%的LED已经可以生产,我们很难通过提高LED的内量子效率的方法来提高LED的亮度。因此,通过提升LED外量子效率是目前半导体照明的研究重点。在LED倒装芯片(Flip Chip)内部,与P-GaN,芯片侧壁接触的绝缘层材料会吸光,减少了光的出射。 本课题的研究以解决LED芯片内部的绝缘层吸光问题,采用在倒装芯片技术的基础上,优化绝缘层工艺,减少芯片内部的吸光。根据本文的结论,利用这种方法确实提升了芯片的发光强度,为之后LED芯片亮度的提升提供了可行的方向。
关键词:倒装芯片,绝缘层工艺,外量子效率
目录 摘要 Abstract 1绪论-1 1.1课题背景及意义-1 1.2发展与研究情况-1 1.3本文研究的主要内容-2 2 LED芯片简介-4 2.1 LED发光原理-4 2.2 LED芯片结构简介-4 2.3 LED发光效率简述-5 2.4 提升LED发光效率的方法-6 2.5 绝缘层工艺的设计与优化-8 2.6 本章小结-9 3 实验内容-11 3.1实验材料及设备-11 3.2实验步骤-17 3.3 LED主要参数介绍-18 3.4 本章小结-18 4 实验结果及分析-19 4.1实验结果-19 4.2 LED芯片各项性能参数分析-21 4.2.1 LED芯片亮度表征-21 4.2.2 LED芯片电性表征-22 4.2.3 LED芯片可靠性表征-24 4.3 本章小结-25 结 论-27 参 考 文 献-28 致 谢-29 |