摘要：伴随着第三次工业革命的不断发展，具有可控性能的电力电子器件收到人们的追捧，被应用地越来越广泛，要求也就随之提高。而现在大部分的器件多为硅基半导体，这种材料的工艺制造已经达到了一个瓶颈，近年来，人们将核心大部分关注在第带半导体上尤其是以碳化化镓为材料的器件发展最快。

首先，先是介绍了SiC MOSFET的发展进程；接着用Cree公司型号为C2M0080120D(1200V/36A/80mΩ)的器件和Infineon(英飞凌)公司型号为IPW60R180P7(600 V/18 A/180 mΩ)的器件对比探究了SiC MOSFET的优势及特性，之后搭建了基于LTspice 软件的双脉冲测试电路来探究其动态特性，为之后的应用做铺垫。

本文的主要目的是为了探究SiC MOSFET并联均流的方法，我们首先分析造成器件并联不均流有哪些影响因素。之后通过对这些因素的逐个分析，我们得出了基于耦合电感来解决SiC MOSFET 器件不均流的方法，并通过Cree公司生产的型号为C2M0160120D的器件进行仿真，最后根据仿真的结果证明了基于耦合电感的方法确实可以很大程度上解决并联不均流的问题。

关键词：SiC MOSFET；并联均流；双脉冲测试

目录

摘要

Abstract

1绪论-１

1.1 碳化硅功率器件的发展与现状-１

1.2 SiC MOSFET的物理特性及优势-２

1.3 SiC MOSFET并联的研究背景-３

1.4 本章总结-４

2 SiC MOSFET的特性分析-６

2.1 SiC MOSFET 原理概述-６

2.2 SiC MOSFET 的静态特性分析-７

2.2.1 主要参数对比-７

2.2.2 输出与转移特性-９

2.2.3 体二极管-１３

2.3 SiC MOSFET 的器件的动态特性分析-１５

2.3.1 动态特性测试仿真模型及原理-１５

2.3.2 动态特性测试-１６

2.4 本章小结-１８

3 影响SiC MOSFET并联不均流的因素-１９

3.1 器件分散性影响-２０

3.2 功率回路寄生参数-２１

3.3 驱动回路寄生参数-２２

3.4 温度影响-２３

3.5 本章总结-２４

4 SiC MOSFET 并联运行的电路设计及其仿真-２５

4.1 实验所选器件参数分析-２５

4.2 并联均流实验设计-２６

4.2.1 器件的选型-２７

4.2.2 驱动回路的设计-２７

4.2.3 功率回路的设计-２７

4.2.4 基于耦合电感的并联均流仿真设计-２７

5 总结与展望-３０

5.1 总结-３０

5.2 展望-３０

参考文献-３１

致谢-３３