摘要：随着显示技术的发展低温多晶硅显示技术已成为主流，其中由低温多晶硅显示技术制成的有源矩阵发光二极管（AMOLED）更是满足人们对屏幕更低功耗，更高分辨率，更快响应时间的需求。然而，新技术的发展必定会带来新的问题，亮度衰减成为影响AMOLED寿命的一个重要部分。有机发光二极管器件在长时间点亮后，其薄膜晶体管（TFT）源漏两端电压会减小，从而导致器件性能发生退化，进而使得AMOLED器件亮度衰减，以及AMOLED的寿命减小。这是因为驱动薄膜晶体管TFT特性曲线在饱和区存在斜率。

我们通过多组实验条件改善TFT背板工艺参数，寻求减小饱和区斜率的方法，从而达到改善AMOLED亮度衰减的问题。我们对由低温多晶硅技术制成TFT背板的工艺条件做了以下改变，a-Si减薄、单层GI（栅极）改成双层GI、减小沟道的注入剂量、减小源/漏极注入能量和剂量、减小准分子激光退火扫描间距等。试验后测量TFT的电学性能后发现发现GI减薄+源漏极注入能量且剂量减小+氢化时间增加的组合条件对饱和区的斜率减小的作用是有明显的改善效果，从而减小TFT饱和区斜率，提高AMOLED发光效率。通过实际点亮并测量AMOLED发现，白光寿命可以提高15%。

关键字：有源矩阵发光二极管，薄膜晶体管，饱和区斜率，亮度衰减

目录

摘要

ABSTRACT

第一章 绪论-1

1.1引言-1

1.2 显示技术发展历史-1

1.3 AMOLED简介-2

第二章 低温多晶硅TFT显示及技术-4

2.1 低温多晶硅薄膜晶体管-4

2.2实验需低温多晶硅薄膜晶体管的工艺流程-4

第三章 低温多晶硅薄膜晶体管物理机制-8

3.1低温多晶硅薄膜晶体管工原理-8

3.2有效沟道长度调制效应-9

3.3漏区静电场对沟道区反馈作用-10

第四章实验设计与数据分析-12

4.1实验设计-12

4.2实验结果分析-13

结论-19

致谢-20

参考文献-21