摘要：在半导体器件制造过程中，光刻工艺对器件质量起着至关重要的作用。本文将对光刻中的光刻胶工艺的影响进行分析。实验使用台式匀胶机在硅片表面形成薄膜，再将硅片置于烤胶机上进行前烘，使用URE-2000/17型紫外光刻机进行光刻，然后用显影液显影，最后使用L3230型金相显微镜观察图形。以已验证的最优曝光时长15 s,显影时长30s为处理标准，对光刻胶涂布工艺进行优化。结果表明,在低速500转/min旋转10s,高速4000转/min旋转25s条件下可得到较好厚度的薄膜。前烘温度120℃，持续3min，曝光时长15s，显影时长30s。在以上参数下最终确定RZJ-304正性光刻胶最佳工艺参数。光刻胶涂布工艺的优化能够提高整个器件光刻效果，从而提高半导体芯片的生产水平，促进光刻技术的进一步发展。

关键词：半导体芯片；光刻；光刻胶涂布工艺

目录

摘要

ABSTRACT

第一章 绪论-5

1.1前言-5

1.2半导体芯片制造-5

1.3光刻技术-6

1.4摩尔定律-7

1.5光刻的种类-7

1.5.1光学接触和接近式光刻-7

1.5.2投影光刻-7

1.5.3浸没式光刻-8

1.5.4 EUV光刻-8

1.6光刻胶简介-9

1.7光刻工艺流程-9

1.7.1气相成底膜处理-10

1.7.2涂胶)-10

1.7.3前烘-11

1.7.4对准和曝光-11

1.7.5曝光后烘焙-11

1.7.6显影-11

1.7.7显影后检查-11

1.7.8坚膜烘焙-12

第二章 光刻胶涂布工艺优化-13

2.1引言-14

2.2光刻工艺优化实验-14

2.2.1 仪器-14

2.2.2 试剂-14

2.2.3 实验流程-14

2.3 实验结果与分析-15

2.4 小结-22

第三章 总结-24

参考文献-25

致谢-26